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电子元器件详细资料 » IC[28211] » SP8J65TB1
型号:SP8J65TB1类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C29 毫欧 @ 7A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1200pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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